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FQD19N10LTM

MOSFET 100V N-Ch QFET Logic Level

FQD19N10LTM
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画像は参考用です.
製品の詳細については、「製品仕様」を参照してください。

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FQD19N10LTM

MOSFET 100V N-Ch QFET Logic Level

  • メーカー：

    Onsemi

  • データシート：

    FQD19N10LTM datasheet

  • パッケージ/ケース：

    DPAK-3

  • 製品カテゴリ：

    トランジスター

  • RoHS Status： RoHS ステータス Lead free/RoHS Compliant

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FQD19N10LTM 製品詳細

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FQD19N10LTM

Description

The FQD19N10LTM is a power MOSFET designed for logic-level control, specifically suited for modern electronic devices such as smartphones, laptops, and gaming consoles. Its key features include an N-channel configuration with a maximum drain-source voltage of 100V and a maximum drain current of 15.6A. The low gate charge and capacitance contribute to efficient power management and high-speed performance. In summary, the FQD19N10LTM is a high-performance power MOSFET designed for logic-level control in modern electronic devices, offering efficiency, speed, and compact packaging.

Features

The FQD19N10LTM power MOSFET features include:
High current rating: 15.6 A at 100 V.
Low on-state resistance: R_DS(on) = 100 mΩ (Max.) at a gate-source voltage of 10 V.
Low gate charge: approximately 14 nC.
Small parasitics: typical Crrss of around 35 pF.
Avalanche tested: ensures reliable operation under extreme conditions. These features make the FQD19N10LTM suitable for various high-power electronic applications.

Package

The FQD19N10LTM has a DPAK-3 package, as well as a TO-252-3 package option.

Pinout

The FQD19N10LTM is a power MOSFET designed for logic-level control, with an N-channel configuration. Key features include: - Voltage: 100V - Current: 15.6A (Max.) - Drain-source on-resistance: 100mΩ Max. @VGS = 10V The package options are DPAK-3 and TO-252-3. Pin count and function would depend on the specific package, but typically a MOSFET will have drain (D), gate (G), source (S), and sometimes auxiliary pins such as a snubber or protection diode. Please consult the datasheet for precise pinout details.

Manufacturer

The manufacturer of the FQD19N10LTM is Rochester Electronics LLC. It is a company that specializes in electronic components, including power MOSFETs for various applications.

Applications

The FQD19N10LTM is a power MOSFET designed for logic-level control in electronic devices. Its application areas include smartphones, laptops, tablets, cameras, game consoles, VR headsets, and more. These components are crucial for managing power efficiently in these devices.

Equivalent

The equivalent product of FQD19N10LTM is likely another high-power N-channel MOSFET with similar voltage and current ratings, possibly from the same manufacturer or a reputable alternatives.

年次の累計受注数

FQD19N10LTM の年間受注履歴データ
年 年間受注合計（数量）
2017 1

市場需要インサイト： 履歴データからは、安定して継続的 な需要パターンが確認され、年間平均 1 件の受注となっています。長期的な調達に適した信頼性の高い選択肢です。

年度別に集計した受注数量の変動：標準偏差 0.00、レンジ（最大値 - 最小値）0。

本チャートは過去10年間の当該部品の年間受注量を示し、歴史的な需要と市場動向を表します。複数年データにより需要の安定性、調達パターン、長期的な市場での存在感を評価しやすくなります。

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