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MRFE6S9160H

N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs

画像は参考用です.
製品の詳細については、「製品仕様」を参照してください。

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MRFE6S9160H

N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs

200 ドル以上のご注文には、限定版の中華風のギフトがプレゼントされます.

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1000 ドルを超える注文は、30 ドルの配送料免除の対象となります.

5000 ドルを超える注文では、配送料と取引手数料が免除されます.

これらのオファーは新規顧客と既存顧客の両方に適用され、2024 年 1 月 1 日から 2024 年 12 月 31 日まで有効です。.

  • メーカー:

    FREESCALE/NXP/AVNET

  • データシート:

    MRFE6S9160H datasheet

  • パッケージ/ケース:

    SMD

  • 製品カテゴリ:

    トランジスター

  • RoHS Status:

今すぐ見積もりリクエストを送信してください。3 日以内に見積もりを提出する予定です。 5月 09, 2024。 今すぐご注文ください。以内に取引が完了する予定です。 5月 14, 2024。 追伸:時間はGMT+8:00に従います。

配達:
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支払い :
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ストック:6436 PCS

当社では、12 時間以内に迅速な見積もりを提供することをお約束します。さらにサポートが必要な場合は、下記までお問い合わせください。 sales@censtry.com.

MRFE6S9160H 製品詳細

• Characterized with Series Equivalent Large-Signal Impedance Parameters 

• Internally Matched for Ease of Use 

• Qualified Up to a Maximum of 32 VDD Operation 

• Integrated ESD Protection 

• RoHS Compliant 

• In Tape and Reel. R3 Suffix = 250 Units per 56 mm, 13 inch Reel.


Description

Designed for N - CDMA, GSM and GSM EDGE base station applications with frequencies from 865 to 960 MHz. Suitable for multicarrier amplifier applications. 

• Typical Single-Carrier N-CDMA. Performance @ 880 MHz: VDD = 28 Volts, IDQ = 1200 mA, Pout = 35 Watts Avg., IS-95 CDMA (Pilot, Sync, Paging, Traffic Codes 8 Through 13) Channel Bandwidth = 1.2288 MHz. PAR = 9.8 dB @ 0.01% Probability on CCDF. Power Gain ó 21 dB Drain Efficiency ó 31% ACPR @ 750 kHz Offset ó -46.8 dBc in 30 kHz Bandwidth 

• Capable of Handling 10:1 VSWR, @ 32 Vdc, 880 MHz, 3 dB Overdrive, Designed for Enhanced Ruggedness.


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Maximum Ratings

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Thermal Characteristics

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1. Continuous use at maximum temperature will affect MTTF.

2. MTTF calculator available at http://www.freescale.com/rf. Select Software & Tools/Development Tools/Calculators to access MTTF calculators by product.

3. Refer to AN1955, Thermal Measurement Methodology of RF Power Amplifiers. Go to http://www.freescale.com/rf. Select Documentation/Application Notes - AN1955.

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方向:

RF Power Field Effect Transistors

MRFE6S9160H

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