見積依頼 / BOM 0 サインイン / 登録する

所在地を選択してください

Back to top

 

FDS6675BZ

MOSFET P-CH 30V 11A 8SOIC

画像は参考用です.
製品の詳細については、「製品仕様」を参照してください。

ソーシャルメディア

FDS6675BZ

MOSFET P-CH 30V 11A 8SOIC

今すぐ見積もりリクエストを送信してください。3 日以内に見積もりを提出する予定です。 1月 22, 2026。 今すぐご注文ください。以内に取引が完了する予定です。 1月 27, 2026。 追伸:時間はGMT+8:00に従います。

配達:
fedex ups ems dhl other
支払い :
jcb American express tt discover paypal

ストック:19881 PCS

当社では、12 時間以内に迅速な見積もりを提供することをお約束します。さらにサポートが必要な場合は、下記までお問い合わせください。 sales@censtry.com.

FDS6675BZ 部品交換

画像と部品番号 メーカー パッケージ/ケース 製品カテゴリ データシート ストック 引用
Blue Rocket SOP-8 ブッシング、グロメット 1058

FDS6675BZ 製品詳細

Request a quote FDS6675BZ at censtry.com. All items are new and original with 365 days warranty! The excellent quality and guaranteed services of FDS6675BZ in stock for sale, check stock quantity and pricing, view product specifications, and order contact us:sales@censtry.com.
The price and lead time for FDS6675BZ depending on the quantity required, please send your request to us, our sales team will provide you price and delivery within 24 hours, we sincerely look forward to cooperating with you.

FDS6675BZ

Description

The FDS6675BZ is a high-performance P-channel PowerTrench MOSFET designed for efficient power usage in various applications. Key features include low drain-to-source on-resistance (rDS(on)), extended voltage range (-25V), and built-in ESD protection. This MOSFET is suitable for power-intensive circuits, ensuring reliable performance with a compact design.

Features

The FDS6675BZ P-Channel PowerTrench MOSFET features key attributes for efficient performance:
Low R_DS(on): At -10V V GS, it reaches 13mΩ, demonstrating excellent power handling.
Extended voltage range: Capable of operating at -25V, suitable for battery applications.
ESD protection: HBM level of 5.4 KV provides robust protection against electrostatic discharge.
High-performance trench technology: Ensures low on-resistance, crucial in high-efficiency designs. These features make the FDS6675BZ an ideal choice for applications requiring efficient power management and high reliability.

Package

The FDS6675BZ has an 8-SoIC (Small Outline Chip) package, which measures 0.154" by 3.90mm width.

Pinout

The FDS6675BZ is a P-Channel PowerTrench MOSFET. It doesn't specify a pin count, as the count would depend on the package (8-SOIC in this case). However, typical MOSFET packages have fewer than ten pins, connecting the gate and drain to the source and package. For more detailed information on the functions of each pin, consult the manufacturer's datasheet or contact their support.

Applications

The FDS6675BZ is a power MOSFET suitable for applications demanding high efficiency, reliable performance, and compact designs. It finds application in power electronics, battery management systems, and motor control systems.

Equivalent

The equivalent product of FDS6675BZ by onsemi is likely another P-Channel PowerTrench MOSFET with similar voltage and current ratings. Search for onsemi's MOSFET offerings within the same voltage range (-30V).

FDS6675BZ 関連製品

  • メーカー ストック データシート
  • onsemiconductor

    1968 PCS

    FDS6990A .PDF

  • onsemiconductor

    6722 PCS

    FPF1204UCX .PDF

  • onsemiconductor

    6406 PCS

    MMBT5179 .PDF

  • onsemiconductor

    19642 PCS

    FAN7393AMX .PDF

FDS6675BZ 人気商品

Censtry は ISO 9001:2015 認証を取得していることを誇りに思っています。当社は認定された純正部品を提供することに尽力しています。当社の社内研究所には、厳格な品質管理措置を確実に実施するためのテスト機器が完備されています。販売されるすべての商用部品の完全なトレーサビリティを提供します。

Censtry は 365 日間の保証を提供します。返品された商品については、在庫がある場合は交換 し、在庫がない場合は返金します。