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K7N803645B-QC13

256Kx36 & 512Kx18-Bit Pipelined NtRAM

画像は参考用です.
製品の詳細については、「製品仕様」を参照してください。

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K7N803645B-QC13

256Kx36 & 512Kx18-Bit Pipelined NtRAM

200 ドル以上のご注文には、限定版の中華風のギフトがプレゼントされます.

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1000 ドルを超える注文は、30 ドルの配送料免除の対象となります.

5000 ドルを超える注文では、配送料と取引手数料が免除されます.

これらのオファーは新規顧客と既存顧客の両方に適用され、2024 年 1 月 1 日から 2024 年 12 月 31 日まで有効です。.

  • メーカー:

    SAMSUNG

  • データシート:

    K7N803645B-QC13 datasheet

  • パッケージ/ケース:

    LQFP-100

  • 製品カテゴリ:

    RF集積回路

  • RoHS Status:

今すぐ見積もりリクエストを送信してください。3 日以内に見積もりを提出する予定です。 5月 21, 2024。 今すぐご注文ください。以内に取引が完了する予定です。 5月 24, 2024。 追伸:時間はGMT+8:00に従います。

配達:
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ストック:3000 PCS

当社では、12 時間以内に迅速な見積もりを提供することをお約束します。さらにサポートが必要な場合は、下記までお問い合わせください。 sales@censtry.com.

K7N803645B-QC13 製品詳細

Features

• 3.3V+0.165V/-0.165V Power Supply.

• I/O Supply Voltage 3.3V+0.165V/-0.165V for 3.3V I/O or 2.5V+0.4V/-0.125V for 2.5V I/O.

• Byte Writable Function.

• Enable clock and suspend operation.

• Single READ/WRITE control pin.

• Self-Timed Write Cycle.

• Three Chip Enable for simple depth expansion with no data contention .

• Α interleaved burst or a linear burst mode.

• Asynchronous output enable control.

• Power Down mode.

• 100-TQFP-1420A

• Operating in commercial and industrial temperature range.


Description

The K7N803601B and K7N801801B are 9,437,184 bits Synchronous Static SRAMs.


The NtRAMTM, or No Turnaround Random Access Memory utilizes all the bandwidth in any combination of operating cycles. Address, data inputs, and all control signals except output

enable and linear burst order are synchronized to input clock. Burst order control must be tied "High or Low". Asynchronous inputs include the sleep mode enable(ZZ). Output Enable controls the outputs at any given time. Write cycles are internally self-timed and initiated by the rising edge of the clock input. This feature eliminates complex offchip write pulse generation and provides increased timing flexibility for incoming signals.


For read cycles, pipelined SRAM output data is temporarily stored by an edge triggered output register and then released to the output buffers at the next rising edge of clock.


The K7N803601B and K7N801801B are implemented with SAMSUNG′s high performance CMOS technology and is available in 100pin TQFP and Multiple power and ground pins minimize ground bounce.

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K7N803645B-QC13

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